特許
J-GLOBAL ID:200903080930140472

光半導体素子の実装構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大垣 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-329102
公開番号(公開出願番号):特開平9-172221
出願日: 1995年12月18日
公開日(公表日): 1997年06月30日
要約:
【要約】【課題】 高周波信号入力時にも、信号波形が劣化する等のおそれがなく、素子の安定した動作を可能にする、光半導体素子の実装構造。【解決手段】 基台11上に、第1伝送線路13が形成してある伝送基板12と、光半導体素子15と、これら伝送基板11および光半導体素子15を電気的に接続する接続手段とを具えた光半導体素子の実装構造において、この接続手段を、インピーダンス整合された第2伝送線路21が形成してあるフレキシブル基板20とする。
請求項(抜粋):
基台上に、第1伝送線路が形成してある伝送基板と、光半導体素子と、これら伝送基板および光半導体素子を電気的に接続する接続手段とを具えた光半導体素子の実装構造において、前記接続手段を、インピーダンス整合された第2伝送線路が形成してあるフレキシブル基板としたことを特徴とする光半導体素子の実装構造。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  G02B 6/42
FI (2件):
H01S 3/18 ,  G02B 6/42
引用特許:
審査官引用 (15件)
  • 特開平4-349686
  • 特開昭63-260465
  • 特開平3-203281
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