特許
J-GLOBAL ID:200903080933541389

二次イオン質量分析装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-253868
公開番号(公開出願番号):特開平7-105900
出願日: 1993年10月12日
公開日(公表日): 1995年04月21日
要約:
【要約】【目的】一次イオン・ビームでスパッタリングされた粒子のイオン化率を高めることによって、試料に含まれる極微量成分をも高感度に検出する。【構成】真空槽1と、この真空槽1内に設けられた試料2の表面に一次イオンを照射し二次イオン5を放出されるためのイオン源3と、この二次イオン5を分離しその成分を検出する質量分析器6と、試料2の表面にX線10を照射するための放射性同位元素7を収納した密封容器8とから主に構成する。
請求項(抜粋):
真空槽と、この真空槽内に設けられた試料の表面に一次イオンを照射し二次イオンを放出させるためのイオン源と、この二次イオンを分離しその成分を検出する質量分析器と、前記試料の表面にX線を照射するための放射性同位元素を収納した密封容器とを含むことを特徴とする二次イオン質量分析装置。
IPC (2件):
H01J 37/252 ,  H01J 49/10
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭55-013846

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