特許

J-GLOBAL ID：200903080935056976

集積熱電冷却器を備えた半導体デバイスおよびそれを製造する方法

発明者： マイケル・ジェイムス・コーデス ,  スティーブン・アラン・コーデス ,  アッタム・シャマリンデュ・ゴーシャル ,  エロル・ウェイン・ロビンソン ,  ジェイムス・ルイス・スパイデル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014783
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257388
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 集積回路の熱管理のための方法および装置を提供する。【解決手段】 半導体デバイス300は、共通基板上に形成された、集積回路と集積熱電冷却器とを含む。半導体デバイス300は、基板の表面上に集積回路を形成し、基板の裏面上に集積熱電冷却器を形成することによって製造される。集積回路からの熱を吸収できる、半導体材料よりなる第1の熱シンク314は、基板の裏面306上に形成される。n型熱電素子は、第1の熱シンク314上に形成されたコンタクト348,350,352上に形成される。p型熱電素子は、熱を放散できる半導体材料よりなる第2の熱シンク上に形成されたコンタクト348,350,352上に形成される。p型およびn型熱電素子は、フリップチップ・ハンダ・プロセスによって、それぞれ第1および第2の熱シンク上のコンタクトに接着される。

請求項（抜粋）：

基板の表面上に、集積回路を形成するステップと、前記基板の裏面上に、前記集積回路を冷却できる集積熱電冷却器を形成するステップとを含む、半導体デバイスを製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 35/32 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/28 ,  H01L 35/34

FI (4件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/28 Z ,  H01L 35/34

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-171248   出願人：日本電気株式会社