特許

J-GLOBAL ID：200903080937675614

半導体装置

発明者： 井上 英俊 ,  村竹 清
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249715
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】本発明は放熱機構を有する半導体装置に関し、局所的に発熱する半導体素子を搭載した構成であっても確実な放熱特性を得ることを目的とする。【構成】パッケージ14内に、局所的に高熱を発生する半導体素子13を搭載してなる半導体装置において、半導体素子13の熱発生部に局所的に接触し、半導体素子13が発生する熱を放熱する放熱機構12を設ける。また、この熱機構12を、パッケージ14の所定位置より半導体素子13の熱発生部に向け延出した延出部22と、この延出部22と熱発生部との間を熱的に接続するバンプ23とにより構成する。

請求項（抜粋）：

パッケージ(14,64)内に、局所的に高熱を発生する半導体素子(13)を搭載してなる半導体装置において、該半導体素子(13)の熱発生部(24)に局所的に接触し、該半導体素子(13)が発生する熱を放熱する放熱機構(12,31,41,51)を設けたことを特徴とする半導体装置。