特許

J-GLOBAL ID：200903080940167832

バリアメタルの形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236387
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061181
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、水素還元反応により自然酸化膜を除去した後、酸化性の雰囲気にさらすことなくCVD法を行うことにより、高いオーミックコンタクト性を得るとともにステップカバレッジ性の向上を図る。【構成】 チタンシリサイド膜22上に形成された自然酸化膜23を水素還元反応によって除去した後、酸化性雰囲気にさらすことなく、化学的気相成長法によって窒化チタン(TiN)膜25を成膜することによりバリアメタル26を形成する方法である。

請求項（抜粋）：

チタンシリサイド膜上に形成された自然酸化膜を水素還元反応によって除去した後、少なくとも前記チタンシリサイド膜を酸化性雰囲気にさらすことなく、化学的気相成長法によって前記チタンシリサイド膜上に窒化チタン膜を成膜することを特徴とするバリアメタルの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-044224
  
• 特開平2-032537
  
• 特開平3-104218
  
• 特開平3-286527