特許

J-GLOBAL ID：200903080940869179

半導体レーザ装置

発明者： 栗原 春樹 ,  山本 基幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169140
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030186
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】本発明は、電流阻止層と光吸収層とをストライプ外に設定してなる内部ストライプ構造の半導体レーザ素子において、電源の極性に対する制約の回避とモード・ホッピング雑音の抑制とを両立できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、n-InGaAlPクラッド層18の上面を除く、n-InGaAlPクラッド層17の上に、屈折率がn-InGaAlPクラッド層16,17,18よりも大きく、バンドギャップがInGaP活性層15よりも大きくて、しかも光の波長よりも厚さの薄いp-InGaAlP電流阻止層19を形成することで、光誘起電流の発生を阻止し得る内部ストライプ構造と、モード・ホッピング雑音の小さい複素屈折率型光導波路とを備えた構成となっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体結晶で形成される基板と、この基板の上に、バンドギャップがEg<SB>c1</SB>で、屈折率がn<SB>c1</SB>の第1導電型の半導体結晶で形成される第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に、バンドギャップがEg<SB>a</SB> で、屈折率がn<SB>a</SB> であって、Eg<SB>c1</SB>>Eg<SB>a</SB> かつn<SB>c1</SB><n<SB>a</SB> の第1または第2導電型の直接遷移型半導体結晶で形成される活性層と、この活性層の上に、ストライプ状の凸部を有し、バンドギャップがEg<SB>c2</SB>で、屈折率がn<SB>c2</SB>であって、Eg<SB>c2</SB>>Eg<SB>a</SB> かつn<SB>c2</SB><n<SB>a</SB> の第2導電型の半導体結晶で形成される第2クラッド層と、この第2クラッド層の前記凸部に対応して形成された、ストライプ状の電流注入用開口部を有し、バンドギャップがEg<SB>cb</SB>で、屈折率がn<SB>cb</SB>の第1導電型の半導体結晶で形成される電流阻止層と、この電流阻止層の上、およびその電流阻止層の前記電流注入用開口部に露出する前記第2クラッド層の凸部の上に、バンドギャップがEg<SB>cp</SB>で、屈折率がn<SB>cp</SB>であって、Eg<SB>cp</SB><Eg<SB>a</SB> の第2導電型の半導体結晶で形成されるキャップ層と、このキャップ層の上に金属で形成される第1電極と、前記基板の下に金属で形成される第2電極とを具備し、光導波および電流狭窄を行う半導体レーザ装置において、前記電流阻止層の光学的厚さを前記導波光の波長以下とし、かつEg<SB>cb</SB>>Eg<SB>a</SB> としたことを特徴とする半導体レーザ装置。