特許

J-GLOBAL ID：200903080941992624

処理装置

発明者： 杉山 智一 ,  岡山 信幸 ,  三枝 秀仁 ,  小澤 潤
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179616
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317397
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 付着物が多く発生するプロセスでも排気流量が低下し難く,メンテナンスサイクルが長いバッフル板を備えた処理装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理容器102内は,下部電極104の側方に設けられ,接地されたバッフル板120により,下部電極104上のウェハWが配置される処理空間122と,排気管128が接続される排気経路124に隔てられる。バッフル板120には,放射状に配置された複数のスリット120aが形成され,このスリット120aにより処理空間122と排気経路124が連通する。スリット120aの処理空間122側には,テーパ面132が形成される。テーパ面132のテーパ深さ(h)は,スリット深さ(H)の実質的に1/2以上を占め,テーパ面132のテーパ角度(θ)は,実質的に5 ゚〜30 ゚に設定される。

請求項（抜粋）：

気密な処理容器内に配置された被処理体に対して所定の処理を施す処理空間と,前記処理空間に接続される排気経路とを隔てるバッフル板を備えた処理装置において,前記バッフル板には,前記処理空間と前記排気経路とを連通する複数のスリットが放射状に形成され,前記各スリットの前記処理空間側には,テーパ面が形成されており,前記テーパ面は,前記スリット深さの実質的に1/2以上を占めることを特徴とする,処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 成膜処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-351800   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造用真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-133192   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-141318