特許
J-GLOBAL ID：200903080943137403
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144839
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 NUDC(ノン・ユニフォーミティ・ドープト・チャネル)を有し特性に優れた電界効果トランジスタを、回転イオン注入を行うことなく、安定して作製する。【構成】 P型半導体基板1の表面1aに、基板1よりも不純物濃度が高いP型高濃度チャネル層2と、N型LDD(ライトリ・ドープト・ドレイン)層3を形成し、この上に、絶縁膜4を形成する。ゲートを形成すべき領域に基板表面1aに至る断面矩形状の溝Aを形成し、この溝Aの内壁にゲート酸化膜5を形成する。ポリシリコン膜6を堆積し、エッチバックを行って埋め込み型のゲート電極を形成する。溝Aの両側のに残っている絶縁膜4を除去してLDD層3を露出させ、LDD層3の表面にソースドレイン領域を形成する。
請求項（抜粋）：
P型またはN型の半導体基板の表面に、この半導体基板と同一の導電型でこの基板よりも不純物濃度が高い高濃度チャネル層を形成する工程と、上記高濃度チャネル層の表面に、この層と異なる導電型のLDD層を形成する工程と、上記LDD層の表面に、絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜,LDD層および高濃度チャネル層のうちゲートを形成すべき領域に存する部分をエッチングして、上記ゲートを形成すべき領域に上記基板表面に至る断面矩形状の溝を形成する工程と、上記溝の内壁にゲート酸化膜およびゲート電極を順に形成する工程と、上記溝の両側に残っている上記絶縁膜を除去して上記LDD層を露出させる工程と、露出した上記LDD層の表面に、このLDD層と同一の導電型でこのLDD層よりも不純物濃度が高いソースドレイン領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
