特許

J-GLOBAL ID：200903080944791522

縦型MOSFETの製造方法及び縦型MOSFET

発明者： 山本 英雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025055
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223894
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 LOCOS溝の側壁近傍がチャネルとして使用される縦型MOSFETの製造方法において、簡易な方法でLOCOS溝の開口部に丸みを持たせ、ゲート酸化膜を均一な厚さで形成可能にしてゲート・ソース間の絶縁耐圧の低下を防止した縦型MOSFETの製造方法および縦型MOSFETを提供する。【解決手段】 半導体基板上に、パッド酸化膜、および窒化膜を順次形成し、パッド酸化膜、および窒化膜を同一形状でそれぞれ開口した後、それらをマスクとして、半導体基板表面のエッチングを行って第1の溝を形成する。次に、第1の溝の内壁を熱酸化させることでLOCOS酸化膜を形成し、第1の溝の内壁をLOCOS酸化膜が侵食することにより形作られる第2の溝(LOCOS溝)をLOCOS酸化膜を除去することで形成する。このとき、パッド酸化膜を200オングストローム以上、1000オングストローム以下で形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、前記半導体基板表面のエッチングを行う際のマスクとなるパッド酸化膜、および窒化膜を順次形成し、前記パッド酸化膜、および前記窒化膜を所望の同一形状でそれぞれ開口し、該開口したパッド酸化膜、および窒化膜をマスクとして、前記半導体基板表面のエッチングを行って第1の溝を形成し、前記第1の溝の内壁を熱酸化させることで前記第1の溝の内壁にLOCOS酸化膜を形成し、前記第1の溝の内壁が前記LOCOS酸化膜で侵食されることにより形作られる第2の溝を、前記LOCOS酸化膜を除去することで形成する、前記第2の溝の側壁近傍がチャネルとして使用される縦型MOSFETの製造方法において、前記パッド酸化膜を200オングストローム以上、1000オングストローム以下で形成することを特徴とする縦型MOSFETの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-012167
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067972   出願人：日本電装株式会社