特許
J-GLOBAL ID：200903080945987811
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273323
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 熱酸化工程を有する半導体装置の製造方法において、熱酸化時に、予め導入された不純物がウエハ表面から放出されることのない半導体装置の製造方法を得ることである。【構成】 U溝50の側面及び底面に熱酸化により厚さ60nm程度のゲート酸化膜8を形成する。この熱酸化工程は、酸化炉温度を低温とし、酸化炉内を酸素雰囲気として熱酸化を行う第1の熱酸化工程と、窒素雰囲気に切り替え、所定の温度まで昇温後、酸化炉内を酸素雰囲気として熱酸化を行う第2の熱酸化工程とから構成される。第1の熱酸化工程により形成した酸化膜により不純物がウエハ表面から外部へ飛散することを抑制する。また、第1と第2の2つの熱酸化工程により形成した酸化膜を合わせてゲ-ト酸化膜とする。このようにすると、第1の酸化膜の存在によりウエハ表面の不純物の濃度の低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
表面に酸化膜が形成され、不純物がド-ピングされた半導体基板の酸化膜を除去した後に、前記半導体表面を熱酸化する熱酸化工程を有する半導体装置の製造方法において、前記熱酸化工程は、第1の熱酸化工程と第2の熱酸化工程とを有し、前記第1の熱酸化工程は、酸化雰囲気中において第1の温度で前記半導体基板表面に薄い第1の酸化膜を形成する工程を有し、前記第2の熱酸化工程は、酸化雰囲気中において第2の温度で前記第1の酸化膜を所定の厚さまで成長させて成る第2の酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/76
H01L 29/78 321 V
, H01L 21/76 N
, H01L 21/94 A
