特許

J-GLOBAL ID：200903080950570996

基板処理チャンバ面をインシチュウクリーニングする方法

発明者： アンナレナ シルダークヴィスト ,  ポール ビー. コミタ ,  アン ピー. ワルドホアー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322747
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203164
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板処理チャンバ内の表面から汚染物質を除去する方法。【解決手段】 その方法にはメタル粒子を含む汚染物質に曝された表面を好ましくはシリコン含む材料でコーティングするステップが含まれる。コーティングの期間に汚染物質はコーティングに適用した材料によって収集される。その方法には更にコーティングに適用した材料と、コーティング時にその材料が収集した何らかの汚染物質を除去するステップが含まれる。その方法は表面が周囲の空気又は水分からの汚染物質に曝された後、例えばクリーニング又は汚染防止的保守管理が行われる期間に実行できる。また、好ましくはその方法はチャンバの内部に持ち込まれた何らかの水分を駆逐すべくチャンバをベーク熱処理する前に、あるいはチャンバを加熱する前に実行する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板処理チャンバ内部の表面から汚染物質を除去する方法であって、表面に材料の層をコーティングして、前記材料層により汚染物質が収集されるようにする、コーティングのステップと、材料層の少なくとも一部を、材料層の内部に含まれる汚染物質の少なくとも一部と共に除去する、除去のステップとを有する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/00 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/00 K ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/302 N