特許

J-GLOBAL ID：200903080957735141

半導体装置および半導体装置の製造方法および半導体装 置の製造装置

発明者： 井上 恭典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100697
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283219
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】低抵抗で信頼性の高い配線を備えた半導体装置を簡単かつ低コストに製造する。【構成】単結晶シリコン基板1上に配線層2が形成され、その上に層間絶縁膜3が形成されている。層間絶縁膜3にはコンタクトホール4が開口されている。層間絶縁膜3上に配線層5が形成されている。配線層5は、下からチタン膜6,窒化チタン膜7,タンタル膜8,銅薄膜9が順次積層されて形成されており、コンタクトホール4を介して基板1および配線層2とコンタクトしている。チタン膜6およびタンタル膜8はマグネトロンスパッタ法で形成され、窒化チタン膜7は反応性スパッタ法を併用したマグネトロンスパッタ法で形成される。銅薄膜9は、Ta膜8をカソードとする硫酸銅めっき法によって形成される。

請求項（抜粋）：

主配線材料となる銅または貴金属の薄膜(9)とバリア層(6,7)との間に金属薄膜(8)を介した構造の配線を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 D