特許

J-GLOBAL ID：200903080958648773

メタル配線形成方法

発明者： 齋藤 秀一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005142
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195393
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、メタル層を均一性よくポリッシングすることを目的とする。【構成】溝11の形成されたアンダーコート層2上にメタル層13を形成し、このメタル層13をCMPにより平坦化して埋め込みメタル配線14を形成する際に、溝11の形成とともにこの溝11内にダミーパターン12を形成し、この後に、メタル層13を形成して化学機械研磨により平坦化する。

請求項（抜粋）：

溝の形成された基板又はアンダーコート層上にメタル層を形成し、このメタル層を化学機械研磨により平坦化して埋め込みメタル配線を形成するメタル配線形成方法において、前記溝の形成とともにこの溝内にダミーパターンを形成することを特徴とするメタル配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 J