特許

J-GLOBAL ID：200903080959078768

半導体素子の製造方法

発明者： 黒木 弘樹 ,  田村 浩之
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335022
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167035
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、DRAMなどキャパシタ部を有する半導体装置におけるそのストレージ電極、特に表面に凹凸を有する該電極のその凹凸形状を安定させる製法を提供するものである。【構成】 本発明は前記目的のために、ストレージ電極の形成に当たって、アモルファスシリコン膜3を形成し、それを熱処理した後、同一炉に酸素を導入してその上に酸化膜4を形成するようにして、結晶性を安定させるようにした。

請求項（抜粋）：

キャパシタ部を有する半導体装置における該キャパシタ部の下部電極(ストレージ電極)の形成方法として、(a)半導体基板上に、アモルファスシリコン膜を堆積し、熱処理を行ない、(b)次に、前記熱処理を行なった装置(炉)から前記基板を取り出すことなく該装置内に酸素を導入して、前記アモルファスシリコン膜上に酸化膜を形成し、(c)その後、前記装置(炉)から前記(b)項までの工程を終えた基板を取り出すようにしたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-263370
  
• 特開平3-272165
  
• 特開平1-297827
  
• 特開平2-150029