特許

J-GLOBAL ID：200903080959860709

半導体集積回路装置

発明者： 黒田 謙一 ,  石川 次男 ,  岩渕 勝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110039
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性メモリ素子を有する半導体集積回路装置において、メモリアレイ端部のパッシベーション膜を通じて汚染や水分が侵入するのを防止する。【構成】 ワード線W1 乃至W4 と、ワード線W1 乃至W4 に交差して設けられたデータ線D1 〜D5 と、その一部がワード線W1 乃至W4 と一体に構成された不揮発性メモリ素子Q1 〜Q20 とからなるメモリアレイを有する半導体集積回路装置において、前記メモリアレイ端におけるワード線W1 乃至W4 の端部の上部を前記ワード線W1乃至W4 よりも上層の導体層11によって被覆した。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と、前記ワード線に交差して設けられたデータ線と、その一部が前記ワード線と一体に構成されたメモリ素子とからなるメモリアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記メモリアレイ端におけるワード線端部の上部を前記ワード線よりも上層の導体層で覆い、前記導体層を絶縁膜で被覆したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 21/88 S ,  H01L 23/30 D ,  H01L 29/78 371