特許
J-GLOBAL ID:200903080962884791

集積チップ歪センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-309377
公開番号(公開出願番号):特開平6-281658
出願日: 1993年12月09日
公開日(公表日): 1994年10月07日
要約:
【要約】【目的】 原子間力顕微鏡(AFM)に組み合わせて使用される計測用プローブの集積チップ歪センサを提供する。【構成】 集積チップ歪センサ17は、表面を3次元でプロファイルする一軸原子間力(AFM)に組み合わされている。カンチレバー・ビーム11は、圧電薄膜歪センサを堆積された集積チップステム12を担持する。高分解能直接電子ビーム堆積処理は、Siカンチレバー構造上へ先の尖ったチップを成長するために使用される。直接電子ビーム堆積処理は、高アスペクト比のナノメータスケール構造の制御可能な製造を可能にする。4つの圧電膜は、チップステム上に堆積される。圧電センサはAFMのプローブの面と垂直の面において機能する。すなわち、線幅表面とのチップ接触はチップたわみを生じ、比例する電気信号出力を発生する。
請求項(抜粋):
3次元で表面をプロファイルする一軸原子間力顕微鏡(AFM)に組み合わされる集積チップ歪センサにおいて、シャープなチップが成長される集積チップ・ステムを担持するカンチレバー・ビームと、前記集積チップ・ステム上に堆積された圧電薄膜歪センサと、カンチレバー振動をZ軸方向に振動させる制御手段とを備え、前記AFM検出カンチレバーは振動して、第1の表面形状に対するZ軸方向距離を測定し、その後、前記制御手段を停止させ、前記第1の表面形状に対して前記チップを相対的に移動し、前記圧電薄膜歪センサが第2の表面形状による前記チップのたわみに応じて電気信号を発生し、前記制御手段は、前記第2の表面形状に対してXおよびYを決定することを特徴とする集積チップ歪センサ。
IPC (2件):
G01N 37/00 ,  G01B 21/30

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