特許

J-GLOBAL ID：200903080982119129

プラズマCVD方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-078244
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】 窓曇りが問題にならない光アシスト方法によるプラズマCVD方法。【解決手段】 紫外光発光性ガスの存在下CVD方法を行う。

請求項（抜粋）：

成膜室内に設けられた基体支持体上に被覆する基体を設置する工程と、該成膜室内を真空に排気する工程と、該成膜室内に反応ガスを導入し所定の圧力に保持する工程と、該成膜室内に電気エネルギーを導入してプラズマを発生せしめ、該基体上に薄膜を形成する工程と含むプラズマCVD方法であって、プラズマ中で紫外光を発光するガスをプラズマ中に導入して行うことを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C