特許
J-GLOBAL ID：200903080982543249
半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158866
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031714
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイスの光リソグラフィ工程に於けるレジストパターン形成に関し、形成可能な微小ホールパターン径をさらに小さくすることを目的とする。【構成】 酸触媒型の化学増幅ポジレジストを用い、光露光によりパターニングを行う光リソグラフィにおいて、該ポジレジストを基板面に塗布する工程の直前に該基板面を極微弱な塩基性とすることで、形成可能な微小ホールパターンの最小径をさらに小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
基板面に極微弱な塩基性を付与する工程と、その後、直ちに酸触媒型の化学増幅ポジレジストを基板面に塗布する工程と、該ポジレジストに選択的に紫外線を照射し、露光部に酸を発生させる工程と、を含み、前記極微弱な塩基性が露光部の周辺で発生する酸を中和するように前記塩基性と露光量とが選択されている半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
, G03F 7/38 501
