特許

J-GLOBAL ID：200903080986238084

半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 圭一 ,  中田 錬平 ,  早坂 伸夫 ,  國島 巌
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057249
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255792
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】非処理基体面内の膜厚均一性および段差被覆性に優れ、かつシリコン酸化膜を高速に形成すること。【構成】シリコン基板1上にシリコン酸化膜を気相成長法により形成する際に、原料ガスとしてシロキサンまたはシクロシロキサンを含む物質のガスを用い、かつ成膜時にシリコン基板1を回転させる。

請求項（抜粋）：

被処理基体上にシリコン酸化膜を気相成長法により形成する際に、前記シリコン酸化膜の原料ガスとしてシロキサンを含む物質のガスを用い、かつ前記シリコン酸化膜の形成時に前記被処理基体を回転させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205