埋込みローカル配線

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562953
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521845
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】基板(20)に埋込みローカル配線(190)を作る方法と、前記を組込む集積回路(10)とが提供される。この方法は、基板(20)にトレンチ(240)を形成するステップと、トレンチ(240)に第1の絶縁層(80)を形成するステップとを含む。導体層(250)が第1の絶縁層(80)上に形成される。導体層(250)の一部が除去されローカル配線層(190)を規定し、ローカル配線層(190)を覆う第2の絶縁層(270)がトレンチ(240)内に形成される。この方法は、トレンチアイソレーション層などの、集積回路の誘電層の下に埋め込まれたローカル配線層(190)をもたらす。従来の加工ではローカル配線層のために以前には確保された、シリコン-二酸化シリコンインターフェイスの上の基板の面積は、今やさらなる導体線のために使用可能となる。

請求項（抜粋）：

基板(20)に埋込みローカル配線(190)を作る方法であって、基板(20)にトレンチ(240)を形成するステップと、トレンチ(240)に第1の絶縁層(80)を形成するステップと、第1の絶縁層(80)上に導体層(250)を形成するステップと、導体層(250)の一部を除去してローカル配線層(190)を規定するステップと、トレンチ(240)に、ローカル配線層(190)を覆う第2の絶縁層(270)を形成するステップとを含む、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/76 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (4件)：

H01L 21/88 J , H01L 21/76 L , H01L 27/08 102 D , H01L 27/08 P

Fターム (59件)：

5F032AA33 , 5F032AA40 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA48 , 5F032AA54 , 5F032BB08 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA25 , 5F032DA43 , 5F032DA78 , 5F033GG03 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ08 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK06 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM30 , 5F033NN12 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ74 , 5F033QQ75 , 5F033QQ81 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F048AA01 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF03 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG14

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-065346
モノリシック集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-121753 出願人：株式会社東芝
特開昭62-130541

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