特許

J-GLOBAL ID：200903080991910211

半導体集積回路用容量素子の製造方法

発明者： 西▲つじ▼ 充
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044405
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243489
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 TaまたはTiの酸化物により構成される絶縁物を用いた容量素子において、高容量を保ったままで絶縁耐圧を向上させる。【構成】 Siを含まない第1層金属1上に堆積した、TaまたはTiの酸化物により構成される絶縁物2を用いた金属-絶縁物-金属容量素子において、イオン注入あるいはプラズマ処理により前記絶縁膜2の構成元素あるいはSiを前記絶縁膜2中に添加した後に、紫外線を照射して活性化したオゾン雰囲気中あるいは酸素雰囲気中で熱処理を行なう構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体集積回路用容量素子の第1層金属として、その成分にSiを含んだ金属以外の金属を堆積する工程と、容量素子絶縁膜としてTaまたはTiの酸化物により構成される絶縁膜を堆積する工程と、イオン注入によって絶縁膜の構成元素あるいはSiを前記絶縁膜中に注入する工程と、紫外線を照射して活性化したオゾン雰囲気中あるいは酸素雰囲気中で熱処理を行なう工程と、前記絶縁膜上に第2層金属を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路用容量素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-222469
  
• 特開平3-276630
  
• 特開平2-283022