pn接合ダイオードおよびこれを用いた半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104455
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】逆方向電圧を印加して用いるpn接合ダイオードにおける降伏電圧のバラツキを抑制する。【構成】半導体基板6の内部にp形不純物の濃度のピークを有するp- 形拡散層17内に、角部20aを有するn+ 形拡散層20を設け、そのp- 形拡散層17と、n+ 形拡散層20との接合部にpn接合ダイオードを形成し、これに逆方向電圧を印加した際に、n+ 拡散層20の角部20aで降伏現象が起こる構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板の内部にp形不純物の濃度のピークを有する第1p形半導体層内に、角部を有する第1n形半導体層を設け、前記第1p形半導体層と、前記第1n形半導体層とのpn接合部に逆方向電圧を印加して用いることを特徴とするpn接合ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-087072
特開昭57-050480
特開昭48-097485

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