特許
J-GLOBAL ID：200903080997796216
多結晶シリコン鋳塊の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087569
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254817
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 原料純度の低いシリコンを用いて、安価に太陽電池のシリコン基板用シリコン鋳塊を製造する方法を提供する。【構成】 溶融シリコンを保持した鋳型内において、鋳型下部から上方へシリコンを一方向に凝固させる際に、鋳型側面あるいは上面に設置したコイルによって発生する磁界により鋳型内のシリコン溶解部を攪拌することを特徴とする多結晶シリコン鋳塊の製造方法。
請求項（抜粋）：
溶融シリコンを保持した鋳型内において、鋳型下部から上方へシリコンを一方向に凝固させる際に、鋳型側面あるいは上面に設置した磁界を加えるコイルによって発生する磁界により、鋳型内のシリコン溶解部を攪拌することを特徴とする多結晶シリコン鋳塊の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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