特許
J-GLOBAL ID:200903081000333412

アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエツチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-243090
公開番号(公開出願番号):特開平5-082505
出願日: 1991年09月24日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、多層配線を持つ半導体装置のAlからなる下層配線にテーパーをつけることにより、上層配線の断線や上層配線との短絡を防止する。【構成】 アルミニウムを主成分とする金属薄膜を弗酸と概10%以上の硝酸を少なくとも含む溶液を用いてエッチングする。
請求項(抜粋):
アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング方法において、前記金属薄膜を弗酸と概10%以上の硝酸を少なくとも含む溶液を用いてエッチングすることを特徴とするアルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング方法。
IPC (4件):
H01L 21/308 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784
FI (2件):
H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 311 G
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭62-125633
  • 特開昭61-052376
  • 特開平2-002175

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