特許
J-GLOBAL ID：200903081002480951
スピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法及び該素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251479
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076323
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 磁歪の制御が容易であり、生産安定性に優れたSVMR素子の製造方法及びこのSVMR素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 非磁性金属薄膜層と、非磁性金属薄膜層を挟んで積層された第1及び第2の強磁性薄膜層(フリー層及びピンド層)と、第2の強磁性薄膜層の非磁性金属薄膜層とは反対側の面上に積層された反強磁性薄膜層とを含むSVMR素子の製造方法であって、第1の強磁性薄膜層がNiFe層とCoFe層との2層構造からなり、第1の強磁性薄膜層、非磁性金属薄膜層、第2の強磁性薄膜層及び反強磁性薄膜層を積層した後、NiFe層の膜厚変化に依存する磁歪の変化が小さくなるように熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
非磁性金属薄膜層と、該非磁性金属薄膜層を挟んで積層された第1及び第2の強磁性薄膜層と、該第2の強磁性薄膜層の前記非磁性金属薄膜層とは反対側の面上に積層された反強磁性薄膜層とを含むスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記第1の強磁性薄膜層がNiFe層とCoFe層との2層構造からなり、前記第1の強磁性薄膜層、前記非磁性金属薄膜層、前記第2の強磁性薄膜層及び前記反強磁性薄膜層を積層した後、前記NiFe層の膜厚変化に依存する磁歪の変化が小さくなるように熱処理を行うことを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法。
Fターム (3件)：
5D034BA04
, 5D034BA21
, 5D034DA07
