特許

J-GLOBAL ID：200903081003038071

荷電粒子ビーム露光装置

発明者： 坂本 樹一 ,  安田 洋 ,  山田 章夫 ,  川島 憲一 ,  大饗 義久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312431
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227853
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子ビーム露光装置において、LSIの設計データを一律に可変図形露光データのみに変換することなく、また、ブロックパターンの選択に際して露光処理系のデータ照合処理に依存することなく、該露光装置とLSI設計処理系との間において、ブロックパターンの分割/選択に関して共通する媒介データを持ち、該媒介データに基づいて効率良く、かつ、高速にブロック露光することを目的とする。【解決手段】 半導体集積回路LSIの設計データDDに基づいてLSI設計処理系 100によりブロック露光処理に必要な露光データPDの自動作成処理をし、前記露光データPDに基づいて荷電粒子ビーム露光装置(露光処理系) 101により被露光対象17にブロックパターン露光することを含み構成し、前記LSI設計処理系 100がブロック露光データRPDを含む露光データPDの自動作成し、前記露光装置 101に複数のブロックパターンB1, B2...Bnに基づくビーム整形手段13が設けられることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

被露光対象に荷電粒子ビームを出射する荷電粒子発生手段と、前記荷電粒子ビームを所定の形状に整形する複数のブロックパターンを有するビーム整形手段と、前記複数のブロックパターンのうちの特定のブロックパターンに荷電粒子ビームを選択偏向する第1の偏向手段と、前記複数のブロックパターンから前記特定のブロックパターンを選択するビーム偏向データを記憶し、予め設計処理系において作成された露光データに含まれる選択データが入力されると該選択データに対応したビーム偏向データを出力する記憶手段と、前記特定のブロックパターンを通過した荷電粒子ビームを描画偏向する第2の偏向手段と、前記露光データに含まれるブロック露光データを該露光データから抽出すると共に、この抽出したブロック露光データに基づいて、前記荷電粒子発生手段、前記第1及び第2の偏向手段、前記ビーム整形手段並びに前記記憶手段を制御する制御手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G06F 17/50 ,  H01J 37/305

FI (3件)：

H01L 21/30 541 S ,  H01J 37/305 B ,  G06F 15/60 658 Z