特許
J-GLOBAL ID：200903081003391502
電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315900
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211170
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】金属側壁からなる微細ゲート電極において、ゲート長を長くすることなくゲート直列抵抗を低減し、高周波特性の向上を図る。【構成】絶縁膜3および第1の金属膜4を堆積したのち選択エッチングする。つぎに第2の金属膜5を堆積してからエッチバックして側壁6を形成する。つぎにホトレジスト10をマスクとして第1の金属膜4および絶縁膜3をエッチングすることにより、側壁6に第1の金属膜4からなる片持梁を付加したゲート電極7が完成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に絶縁膜および第1の金属膜を順次成長する工程と、レジストをマスクとして前記第1の金属膜および前記絶縁膜を異方性エッチングする工程と、全面に第2の金属膜を成長したのちエッチバックして前記第2の金属膜からなる側壁を残す工程と、前記側壁および前記第2の金属膜の一部を覆うレジストをマスクとして前記第1の金属膜を異方性エッチングして、前記半導体基板に接して支柱部分となる前記第1の金属膜と片持梁部分となる前記第2の金属膜とからなるゲート電極を形成する工程とを含む電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
