特許
J-GLOBAL ID:200903081010425412
多層配線プロセス用転写マーク構造および多層配線プロセス用転写マーク作成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-191875
公開番号(公開出願番号):特開2001-022097
出願日: 1999年07月06日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、多層配線用の溝パターン形成時にディッシングの影響を回避するとともに、前工程で転写した位置に重ね合わせるように次工程の転写を行うために用いる転写用マークの読み取り精度の高精度化・安定化を図る多層配線プロセス用転写マーク構造および多層配線プロセス用転写マーク作成方法を得る。【解決手段】 配線層16の間を接続する工程で形成される写真製版用の転写用マーク22の直下の下敷き層102が溝状のパターンを有する。
請求項(抜粋):
多層配線用の溝状のパターン形成時にディッシングの影響を回避するとともに、前工程で転写した位置に重ね合わせるように次工程の転写を行うために用いる転写用マークの読み取り精度の高精度化・安定化を図る多層配線プロセス用転写マーク構造であって、配線層の間を接続する工程で形成される写真製版用の転写用マークの直下の下敷き層が溝状のパターンを有することを特徴とする多層配線プロセス用転写マーク構造。
IPC (3件):
G03F 9/00
, H01L 21/027
, H01L 21/3205
FI (3件):
G03F 9/00 Z
, H01L 21/30 502 M
, H01L 21/88 S
Fターム (19件):
2H097KA15
, 2H097KA16
, 2H097KA29
, 2H097LA10
, 5F033QQ01
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ31
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033VV00
, 5F046EA03
, 5F046EA09
, 5F046EA14
, 5F046EA22
, 5F046EA23
, 5F046EA26
, 5F046EA30
, 5F046EB09
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