積層構造ウェハおよびその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249983
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088153
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】基板電位の変動を抑制できる積層構造ウェハを提供すること。【構成】積層構造ウェハとして、シリコン基板1、金属層2N1 、シリコン層3が順次積層されたものを用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた第1種または第2種の導電層と、この導電層上に設けられた半導体層と具備してなることを特徴とする積層構造ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

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