特許
J-GLOBAL ID：200903081011660865
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190688
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 多層配線間のコンタクト孔形成において、セルフアラインで下地の第1層配線を踏み外すことなくコンタクト孔を形成する。【構成】 下地の層間絶縁膜1上に第1層配線を形成するための導電膜7を堆積し、その上に絶縁膜8を堆積する。その後パターニングを行い、絶縁膜3-aおよび第1配線層2を形成する。つぎに、層間絶縁膜4を堆積した後平坦化し、フォトリソグラフィー法によりコンタクト孔のパターニングを行い、ドライエッチングにより、層間絶縁膜4および絶縁膜3-aをエッチングしコンタクト孔の形成を行う。その後、第2層配線6を形成する。このとき絶縁膜3-aとして層間絶縁膜4よりもエッチング速度の大きな膜を用いることにより、セルフアラインでコンタクト孔底部が第1層配線2を踏み外すことをなくコンンタクト孔を形成することができる。
請求項（抜粋）：
第1層間絶縁膜上に導電性膜を堆積し、その上に第1絶縁膜を堆積する工程と、ついで前記第1絶縁膜と前記導電性膜とのリソグラフィー処理およびエッチング処理を行うことにより前記第1層間絶縁膜上に第1層配線とその上部に前記第1層配線と同じパターン形状を有する前記第1絶縁膜のブロックを形成する工程と、ついで前記第1層間絶縁膜上および前記ブロック上に第2層間絶縁膜を堆積する工程と、ついで前記第2層間絶縁膜および前記第1の絶縁膜のリソグラフィー処理およびエッチング処理を行うことにより前記第1層配線上へ接続するコンタクト孔を形成する工程と、ついで前記コンタクト孔内および前記第2層間絶縁膜上に第2層配線を形成する工程とを含み、前記コンタクト孔の形成のためのエッチング処理時における前記第1の絶縁膜のエッチング速度が前記第2層間絶縁膜のエッチング速度より大きくなるように前記第1の絶縁膜および前記第2層間絶縁膜の材質を選定したことを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (2件)：
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