特許

J-GLOBAL ID：200903081031165453

プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法

発明者： 金 京 民 ,  李 鍾 ミン
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385328
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305195
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ原子層蒸着法を利用してタンタル酸化膜を形成することによって、膜質の改善と電気的特性の向上を図ることのできる、プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】 反応室内にペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5)ソースガスを導入させ、プラズマを発生させる第1ステップと、ペンタエトキシタンタルプラズマを利用してタンタルオキサイドモノ層221〜nを蒸着する第2ステップと、反応室をパージさせる第3ステップと、第1ステップ乃至第3ステップからなるタンタルオキサイドモノ層形成周期を少なくとも一回以上繰り返してタンタル酸化膜22を形成する第4ステップと、酸素雰囲気下でタンタル酸化膜表面を熱処理する第5ステップと、タンタル酸化膜を結晶化させる第6ステップとを含む。

請求項（抜粋）：

反応室内にペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5)ソースガスを導入させ、プラズマを発生させる第1ステップと、ペンタエトキシタンタルプラズマを利用してタンタルオキサイドモノ層を蒸着する第2ステップと、前記反応室をパージさせる第3ステップと、前記第1ステップ乃至前記第3ステップからなるタンタルオキサイドモノ層形成周期を少なくとも一回以上繰り返してタンタル酸化膜を形成する第4ステップと、酸素雰囲気下で前記タンタル酸化膜表面を熱処理する第5ステップと、前記タンタル酸化膜を結晶化させる第6ステップとを含むことを特徴とするプラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 A ,  H01L 27/10 651

Fターム (23件)：

4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030DA06 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  4K030JA16 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BE01 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04 ,  5F083JA06 ,  5F083PR33