特許
J-GLOBAL ID：200903081032609428
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254416
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195711
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 抵抗素子の小型化を図る。【解決手段】 半導体装置10は、半導体基板12の上面全体にシリコン酸化膜などからなる絶縁層14が設けてある。絶縁層14の上部には、MoSix からなる抵抗素子16が形成してある。絶縁層14の上部には、半導体基板12の全面に絶縁膜22が設けてある。抵抗素子16の上部に位置する絶縁膜22には、貫通孔24が形成してあって、この貫通孔24を介して絶縁膜22の上部に設けた電極26が抵抗素子16と電気的に接続している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上または半導体基板内に能動素子と受動素子とが分離不能に結合している半導体装置において、抵抗素子が酸素原子を含むTiNからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/82 F
, H01L 27/04 P
