特許

J-GLOBAL ID：200903081036845789

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 堀内 勝忠 ,  ▲高▼濱 高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381120
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188383
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】埋め込みゲート絶縁膜界面に高濃度に不純物を再分布させ、ダブルゲートの位置合わせを自己整合的に行うと同時に、埋め込みゲート電極を各々電気的に完全に分離した高性能な超微細ダブルゲート型SOIMOS及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】SOI層下部に埋め込みゲート絶縁膜を介して構成された非晶質又は多結晶である半導体層を有する多層SOI基板を用い、上部ゲート電極の逆パターンで上記半導体層にイオン注入を施し、埋め込みゲートを上部ゲートと自己整合の関係で構成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体又は多結晶半導体からなる第1の半導体層、第1の絶縁膜及び第2の半導体層の順に積層化されたウエーハを準備する工程と、ゲート電極形成予定領域を含む前記ウエーハの第2の半導体層の主表面上の一部領域に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極形成予定領域に対向する前記第1の半導体層内の領域に高濃度不純物層を形成する工程と、前記ゲート電極形成予定領域の前記第2の半導体層上に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極形成予定領域の前記第2の半導体層の主表面側に第3の絶縁膜を介して、上部ゲート電極を設ける工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43

FI (7件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/62 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 U

Fターム (92件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG16 ,  4M104HH07 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA02 ,  5F048BA16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA24 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF26 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19