特許

J-GLOBAL ID：200903081039640169

混晶半導体単結晶の製造方法

発明者： 西澤 潤一 ,  澤藤 裕
出願人/特許権者： 財団法人半導体研究振興会 ,  東北特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-107686
公開番号（公開出願番号）：特開平8-301686
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：

【要約】【構成】 原料融液を合成した後に引続きその原料融液を一端より固化させることにより製造した混晶多結晶体を融帯の移動により単結晶化する。【効果】 混晶比分布が制約された混晶多結晶体から、容易、安価に単結晶を成長させることからできる。

請求項（抜粋）：

混晶半導体単結晶の製造方法であって、原料融液を合成した後引き続きその原料融液を一端より固化させることにより製造した混晶多結晶体を融帯の移動により単結晶化する際に、融帯の移動の方向を、混晶多結晶体製造時の固化終了側から固化開始側への方向とすることを特徴とする混晶半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 13/00 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 13/00 ,  C30B 29/40 501 D ,  H01L 21/208 M