特許

J-GLOBAL ID：200903081046099350

半導体装置

発明者： 高橋 敏郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-127956
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303733
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 レベル変換回路及びスルーレートコントロール回路を含む出力バッファの出力動作を高速化し、これを搭載するASIC等の高速化を図る。【解決手段】 レベル変換回路LVC及びスルーレートコントロール回路THCを含む出力バッファにおいて、レベル変換回路LVC及びスルーレートコントロール回路THCを一体化して構成し、並列形態に設けられる複数の出力MOSFETP1〜P3ならびにN1〜N3のうち例えば最初にオン状態とされるべき出力MOSFETN1等を、レベル変換前の実質的な内部出力信号donつまり内部信号n1によって直接駆動する。また、その他の出力MOSFETN2及びN3等に対応する駆動回路を、内部出力信号don及び内部信号dn、すなわち内部出力信号donの実質的なレベル変換前及びレベル変換後の無効レベルを受ける論理和回路つまりノアゲートNO3又はNO4により構成する。

請求項（抜粋）：

内部出力信号の信号レベルを変換するレベル変換回路と、並列形態に設けられ上記内部出力信号の論理レベルに応じて選択的にオン状態とされる複数の出力MOSFETとを含み、上記出力MOSFET又はその駆動回路の一部が上記レベル変換回路によるレベル変換前の実質的な上記内部出力信号により駆動され、その残りの一部がレベル変換後の実質的な上記内部出力信号により駆動される出力バッファを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H03K 19/0185 ,  H03K 19/01

FI (2件)：

H03K 19/00 101 B ,  H03K 19/01