特許
J-GLOBAL ID：200903081049892956
半導体の特性測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098744
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275509
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハの深さ方向における発生ライフタイムの分布を非破壊で測定する方法を提供する。【構成】 MOSキャパシタ1について測定したC-t曲線の過渡的な部分に基づいて、-{qNA(W)εSεO/2CO}×d(CO/C)2/dt=q∫0W{ni/τg(x)}dxを求める。そして、この式をWについて微分することにより、シリコンウェーハでの深さ方向の発生ライフタイムτgを非破壊測定で得る。
請求項（抜粋）：
半導体と導電体との間に酸化絶縁膜を介在させてMOS構造を形成し、このMOS構造の酸化絶縁膜の容量COXを測定する工程と、このMOS構造に一定電圧を印加しながら、時間tに対する上記MOS構造の容量値Cの変化を測定する工程と、これらの測定値に基づいて下記の式を算出する工程と、この式をWで微分することにより、半導体の所望深さでのライフタイムを得る工程と、を含むことを特徴とする半導体の特性測定方法。 -{qNA(W)εSεO/2CO}×d(CO/C)2/dt=q∫0W{ni/τg(x)}dx但し、qは素電荷、NA(W)はドーパント濃度、εSは半導体の誘電率、εOは真空の誘電率、COは酸化膜の単位面積あたりのキャパシタンス、Cは単位面積あたりのキャパシタンス、niは真性キャリア濃度、τg(x)はxにおける発生ライフタイムである。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 27/00
, H01L 29/784
