薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 河合信明 , 谷澤靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-034288
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247434
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】光リーク電流と遮光膜によるバックチャネル動作に伴うリーク電流との双方を抑制し、安定してばらつきの無い、低リーク電流TFTおよびその製造方法を提供する。【解決手段】透明絶縁基板上に、下部遮光膜と、下地層間膜と、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、下地層間絶縁膜と半導体膜の界面の凹凸が5nm以上で、40nm以下である、好ましくは、20nm以下である薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に、下部遮光膜と、下地層間膜と、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを、有する薄膜トランジスタにおいて、前記下地層間絶縁膜と前記半導体膜の界面の凹凸が5nm以上、40nm以下である薄膜トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L29/786 , G02B5/00 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/316 , H01L21/336

FI (10件)：

H01L29/78 626C , G02B5/00 B , G02F1/1335 500 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/268 F , H01L21/316 P , H01L29/78 627G , H01L29/78 627B , H01L29/78 618Z

Fターム (92件)：

2H042AA09 , 2H042AA15 , 2H091FA34Y , 2H091FA35Y , 2H091FB08 , 2H091FC27 , 2H091GA13 , 2H091LA16 , 2H091LA17 , 2H091LA30 , 2H091MA07 , 2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA39 , 2H092JA46 , 2H092JB36 , 2H092JB51 , 2H092JB52 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA12 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA24 , 2H092NA29 , 2H092RA05 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052FA25 , 5F052JA01 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BH16 , 5F058BJ10 , 5F110AA06 , 5F110AA21 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE05 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN48 , 5F110NN54 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-270849 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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