特許
J-GLOBAL ID：200903081064201790
光起電力素子用半導体積層膜の連続形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038943
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252432
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 特性の優れた光起電力素子用の半導体積層膜を大面積に特性のバラツキやムラなく、高速かつ連続的に形成しうる装置を提供する。【構成】 帯状基板108の巻き出し室101と、半導体層の成膜室102A,103,104A,105A,102B,104B,105B,102C,104C,105Cと、巻き取り室106とを、帯状基板108を移動させる方向に沿ってこの順に配置し、かつ各々をガスゲートを介して接続して、成膜室102A,103,104A,105A,102B,104B,105B,102C,104C,105Cを貫通し連続して移動する帯状基板108上に、nipnipnip構造の光起電力素子用のシリコン系非単結晶半導体の積層膜を連続的に形成する。
請求項（抜粋）：
連続して移動する帯状基板上に光起電力素子用のシリコン系非単結晶半導体の積層膜を連続的に形成する装置において、少なくとも帯状基板の巻き出し室と、高周波プラズマCVD法によるn型半導体層成膜室と、マイクロ波プラズマCVD法によるi型半導体層成膜室と、高周波プラズマCVD法によるi型半導体層成膜室と、プラズマドーピングによるp型半導体層成膜室と、高周波プラズマCVD法によるn型半導体層成膜室と、高周波プラズマCVD法によるi型半導体層成膜室と、プラズマドーピングによるp型半導体層成膜室と、高周波プラズマCVD法によるn型半導体層成膜室と、高周波プラズマCVD法によるi型半導体層成膜室と、プラズマドーピングによるp型半導体層成膜室と、帯状基板の巻き取り室とを、前記帯状基板を移動させる方向に沿ってこの順に配置し、かつ各々をガスゲートを介して接続して、前記各成膜室を貫通し連続して移動する前記帯状基板上に、nipnipnip構造の光起電力素子用のシリコン系非単結晶半導体の積層膜を連続的に形成するようにしたことを特徴とする光起電力素子用半導体積層膜の連続形成装置。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C23C 16/54
, H01L 21/205
