特許

J-GLOBAL ID：200903081064625174

半導体装置の製造方法および該製造方法を用いたアバランシェフォトダイオードの製造方法

発明者： 小野 健一 ,  大倉 裕二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116844
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334210
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 拡散領域と該拡散領域が形成される半導体層との境界部の形状をなだらかに形成し、エッジブレークダウンを効果的に防止して、安定な動作をするアバランシェフォトダイオード(APD)の製造方法を得る。【構成】 nキャップ層5の上に注入用キャップ層6を形成する。その上に、Si3 N4 のマスク層8を形成し、これを選択的にエッチングして所定のリング状パターンを形成した後、このパターンで注入用キャップ層6を介してnキャップ層5に渡って、Be(ベリリウム)等のイオン注入を行いガードリング領域14を形成する。注入用キャップ層6とマスク層8はその後除去する。【効果】 なだらかな形状のガードリング領域が形成され、下地層の半導体領域との接合部における電界集中が緩和される。よって、該接合部でのブレークダウンの発生が抑制され、APDの安定性および制御性が向上する効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体層に拡散領域を形成する工程において、前記半導体層の上に拡散領域形成用半導体層を形成し、前記拡散領域形成用半導体層を介して前記半導体層に前記拡散領域を形成した後、前記拡散領域形成用半導体層を完全に除去する工程を含む半導体装置の製造方法。