特許

J-GLOBAL ID：200903081065918175

化合物半導体単結晶

発明者： 皆瀬 恒幸 ,  池田 淳 ,  大滝 紀夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212846
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037018
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 輝度低下のない緑色発光素子のエピタキシャル用基板として好適に用いられる化合物半導体単結晶、特にGaP単結晶を得る。【構成】 化合物半導体単結晶におけるSi濃度が1×1017atoms/cm3 以下及び/又はO濃度が7×1016atoms/cm3 以下であるようにする。

請求項（抜粋）：

Si濃度が1×1017atoms/cm3 以下及び/又はO濃度が7×1016atoms/cm3 以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭48-019187
  
• 特開昭62-085480