特許
J-GLOBAL ID：200903081072291960
シリカゼオライト低誘電率薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
平木 祐輔
, 藤田 節
, 石井 貞次
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-513002
公開番号（公開出願番号）：特表2004-504716
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
半導体素子およびその他の装置において誘電体として使用するための薄膜を、シリカゼオライト、好ましくは純シリカゼオライト(純シリカMFIなど)から製造する。この膜は低k値を有し、一般には約2.7以下、2.2のk値より低い範囲である。この膜は、比較的均一な孔分布、良好な機械的強度および接着性を有しており、水分による影響が相対的にほとんどなく、熱的に安定である。この膜は、シリカ源および有機ゼオライト構造誘導剤(例えば水酸化第4級アンモニウム)を含有する出発ゼオライト合成組成物または前駆体組成物から製造できる。1つの方法では、膜は、合成組成物から、基板上でのin-situ結晶化により形成される。別の方法では、膜は、ゼオライト結晶の懸濁液を製造し、再分散し、in-situ結晶化させることによるスピンコーティング、または合成組成物の製造の際に生じるアルカノールを過剰に使用することによるスピンコーティングにより製造される。パターン形成表面を有するゼオライト膜も製造可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記基板上に配置された1つ以上の金属層または金属構造体と、1つ以上の誘電体膜とを有する半導体素子であって、少なくとも1つの誘電体膜がシリカゼオライトを含む、前記半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4G073BB48
, 4G073BB58
, 4G073BD05
, 4G073BD07
, 4G073BD18
, 4G073CZ49
, 4G073CZ54
, 4G073FB11
, 4G073FB14
, 4G073FB42
, 4G073FC25
, 4G073FC30
, 4G073GA13
, 4G073GA14
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH01
