特許
J-GLOBAL ID：200903081074543575
光電変換素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003002408
公開番号（公開出願番号）：WO2003-075363
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
表面に凹凸を有する第1導電型半導体基板を用いた光電変換素子において、第1導電型半導体基板表面に形成された第2導電型半導体層と、第2導電型半導体層と接続された表面電極と、第1導電型半導体基板裏面に形成された裏面電極とからなり、第2導電型半導体層が、表面電極との接触領域で最も厚く、接触領域から離れるにしたがって薄くなる構造を有してなる光電変換素子であり、簡便な製造工程により、信頼性が高く、優れた光電変換効率を実現することができる。
請求項（抜粋）：
表面に凹凸を有する第1導電型半導体基板を用いた光電変換素子において、少なくとも該第1導電型半導体基板表面に形成された第2導電型半導体層と、該第2導電型半導体層と接続された表面電極と、前記第1導電型半導体基板裏面に形成された裏面電極とを有し、
前記第2導電型半導体層が、表面電極との接触領域から離れるにしたがって薄くなる構造を有してなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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