特許
J-GLOBAL ID：200903081074831961
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130113
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299951
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 高周波パワートランジスタの出力側整合回路を構成するインダクタンスのバラツキをなくして、整合性を安定に保って出力パワーの歩留りを良くする。【構成】 トランジスタチップ1をマウントするための電極3とパワー出力導出用の電極7との各一部に、等価インダクタンス8,9を構成するパターンを直接形成する。これ等電極3,7とコンデンサ4とを互いに直接接続し、バラツキの要因となるワイヤをなくす。【効果】 接続用のワイヤをなくしたので、ワイヤの長さや、高さのバラツキによる整合インダクタンスのバラツキがなくなる。これにより、出力パワーの安定性が良好となり、製造歩留りが向上する。
請求項（抜粋）：
トランジスタチップと、このチップの裏面のコレクタ部がマウントされかつ等価インダクタンスを構成するパターン部が一部に形成された第1の電極と、一対の電極を有しその一方の電極が前記等価インダクタンスを有する第1の電極に直接接続されたコンデンサと、前記一方の電極に直接接続され等価インダクタンスを構成するパターン部が一部に形成された第2の電極とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H03F 3/60
, H01L 25/00
, H03F 3/21
, H03H 7/38
