特許

J-GLOBAL ID：200903081076493303

絶縁膜の製造方法

発明者： 山角 直也
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083781
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274153
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】比誘電率の低い絶縁膜であって、信頼性の高い素子が得られる絶縁膜の製造方法を提供する【解決手段】一般式【化1】(式中、R1は、水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基またはエトキシ基であり、R2は、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基またはビニル基であり、R3は、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基またはビニル基である。)で表されるビニルシラン化合物の少なくとも1種と、エチレン、アセチレン、プロピレンおよびプロピンからなる群より選ばれた少なくとも1つの化合物とを用いてプラズマCVD法により基板上に絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】(式中、R1は、水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基またはエトキシ基であり、R2は、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基またはビニル基であり、R3は、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基またはビニル基である。)で表されるビニルシラン化合物の少なくとも1種と、エチレン、アセチレン、プロピレンおよびプロピンからなる群より選ばれた少なくとも1つの化合物とを用いてプラズマCVD法により基板上に絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/312 ,  C08F 2/52 ,  C08F210/10 ,  C08F230/08 ,  C08F238/00 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/312 C ,  C08F 2/52 ,  C08F210/10 ,  C08F230/08 ,  C08F238/00 ,  H01L 21/90 P

Fターム (50件)：

4J011AA05 ,  4J011AA07 ,  4J011AB06 ,  4J011BA03 ,  4J011BB04 ,  4J011CA02 ,  4J011CB03 ,  4J011CC04 ,  4J011DA06 ,  4J011MA01 ,  4J011MA20 ,  4J011MB05 ,  4J011QA43 ,  4J011QA48 ,  4J011UA05 ,  4J011VA03 ,  4J011WA01 ,  4J100AA02Q ,  4J100AA03Q ,  4J100AP16P ,  4J100AP17P ,  4J100AT01Q ,  4J100AT02Q ,  4J100BA72P ,  4J100BA77P ,  4J100CA04 ,  4J100CA23 ,  4J100DA57 ,  4J100FA00 ,  4J100FA22 ,  4J100JA44 ,  5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX23 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04