特許
J-GLOBAL ID：200903081076774426
ECRプラズマ生成方法および処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273285
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124798
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 高密度なプラズマを生成できるECRプラズマ生成方法およびエッチング等の処理を良好に実行できるECRプラズマ処理方法を提供する。【構成】 主コイル12を試料載置台10の前方に配設し、補助コイル13を試料載置台10の後方に配設したECRプラズマ処理装置1のプラズマ生成方法および処理方法であって、主コイル12の磁界と補助コイル13の磁界および両コイル間の距離を調整し、両コイル間に平行磁界区域APを有する磁界Aを形成する。平行磁界区域APはECR磁界αに一致している。【効果】 大きなECR領域が形成されるため、マイクロ波の吸収効率が向上し、高密度なプラズマを生成する。そのプラズマによりエネルギーの揃いが良い低エネルギーのイオン流が得られ、エッチング等の処理を良好に実行できる。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴のための磁界発生用の主コイルを試料載置台の前方に配設し、磁界形状操作用の補助コイルを前記試料載置台の後方に配設したECRプラズマ処理装置のプラズマ生成方法において、主コイルの磁界と補助コイルの磁界および両コイル間の距離を調整し、両コイル間に前記両コイルの中心軸方向に平行な磁界区域を形成し、さらにその磁界区域を電子サイクロトロン共鳴のための磁界と一致させることを特徴とするECRプラズマ生成方法。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
