特許

J-GLOBAL ID：200903081079310552

スパツタリング用ターゲツト

発明者： 前之園 正則 ,  大場 彰 ,  古賀 陽一
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293400
公開番号（公開出願番号）：特開平5-125526
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：

【要約】【目的】 従来のスパッター条件とと同一条件で成膜が可能で、プレスパッター時間が短縮されたターゲット。【構成】 ターゲット材の表面を金属層または合金層で被覆したターゲット。

請求項（抜粋）：

焼結体ターゲット材の表面を金属層或いは合金層で被覆したことを特徴とするスパタリング用ターゲット。