特許
J-GLOBAL ID：200903081086435077
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072733
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265892
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 ダイヤモンドからなる層を用いて形成される電子放出素子であって、より安定で効率的に電子線を放出する構造を提供する。【解決手段】 基材1上に配置された導電性あるいは半導電性材料からなる突起構造2と、前記突起構造2の上部に配置されたダイヤモンドからなる層3とを含んだ構造とする。このため、従来よりも高い表面安定性でかつ損傷を受けにくい電子放出部分を有する安定な電子放出素子を実現できる。また、電子放出材料として適したダイヤモンドからなる層を電子放出部分として有する低電圧動作で高効率な電子放出素子を実現することが可能となる。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドを用いて形成される電子放出素子であって、基材上に配置された導電性あるいは半導電性材料からなる突起構造と、前記突起構造の上部に配置されたダイヤモンドからなる層とを含むことを特徴とする電子放出素子。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, C30B 29/04
, H01J 9/02
H01J 1/30 A
, C30B 29/04 X
, H01J 9/02 B
