特許
J-GLOBAL ID：200903081089766643
表面平坦化法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117859
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310478
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 CMP(化学機械研磨)処理を用いる表面平坦化法において、平坦性の下地パターン依存性を低減する。【構成】 半導体基板10の表面を覆うフィールド絶縁膜12の上に配線層14a〜14cを介して層間絶縁膜16を形成した後、基板上面に回転塗布法によりSOG(スピン・オン・ガラス)等の塗布膜18を平坦状に形成する。絶縁膜16と塗布膜18とがほぼ等しい研磨速度になるようにして塗布膜18がなくなるまでCMP処理を行なうことにより絶縁膜16を平坦状に残存させる。
請求項（抜粋）：
基板上面に段差を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を覆って平坦状に塗布膜を形成する工程と、前記絶縁膜と前記塗布膜とがほぼ等しい研磨速度になるようにして前記塗布膜がなくなるまで化学機械研磨処理を行なうことにより前記絶縁膜を平坦状に残存させる工程とを含む表面平坦化法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/316
