特許
J-GLOBAL ID：200903081090651779
SiO2 系セラミック被膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236881
公開番号（公開出願番号）：特開平8-099061
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 常温で緻密なSiO2 系セラミック被膜を形成する方法の提供。【構成】 本発明の方法は、基板上に分子内にSi-H結合及び/もしくはN-H結合を有するポリシラザンの膜を形成し、その膜にアルコキシシラン及び水を含む混合溶液を接触させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に分子内にSi-H結合及び/もしくはN-H結合を有するポリシラザンの膜を形成し、その膜にアルコキシシラン及び水を含む混合溶液を接触させることを特徴とする、SiO2 系セラミック被膜の形成方法。
IPC (3件)：
B05D 7/24 302
, C04B 41/83
, C09D183/06 LRM
