特許
J-GLOBAL ID：200903081093076384
半導体の熱処理方法及び熱処理装置並びに半導体の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207823
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061323
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【構成】半導体基板を熱処理装置熱処理部から取り出す際、半導体基板雰囲気中に極微量の水分を添加する。その添加は、ドライガスライン流量計1と水分添加ライン流量計2のガス流量の調節と恒温槽3の温調を行ない、両ラインのガスを混合することにより可能である。【効果】半導体及び製造装置における汚染や欠陥等の評価を確実なものとし、半導体基板及び半導体製造装置に対して高精度な品質検査を可能にする製造方法が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体の熱処理方法において、前記半導体を熱処理装置熱処理部から取り出すとき、前記半導体の周辺の雰囲気を1Pa〜5×103Pa の水蒸気圧に制御することを特徴とする熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/316
, H01L 21/324
